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在早些年前ICP刻蝕機(jī)在行業(yè)內(nèi)幾乎都統(tǒng)稱(chēng)為觸摸屏激光刻蝕機(jī)，在觸摸屏行業(yè)內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用，手機(jī)電阻屏、電容屏的發(fā)展也讓激光刻蝕機(jī)廠家發(fā)展發(fā)生了質(zhì)的變化，主要體現(xiàn)為ITO玻璃激光刻蝕、銀漿玻璃激光刻蝕等，也有一部分是ITO薄膜與銀漿薄膜刻蝕。ICP刻蝕機(jī)是基于真空中的高頻激勵(lì)而產(chǎn)生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來(lái)從而獲得化學(xué)活性微粒與被刻蝕材料起化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生輝發(fā)性物質(zhì)進(jìn)行刻蝕的。同時(shí)為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。ICP刻蝕機(jī)主要對(duì)太陽(yáng)能...

2019年7月16日，我司成功中標(biāo)西安電子科技大學(xué)等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備采購(gòu)招標(biāo)項(xiàng)目。本項(xiàng)目選用NANO-MASTER設(shè)計(jì)生產(chǎn)的NPE-4000系統(tǒng)，該系統(tǒng)為緊湊型設(shè)計(jì)PC控制的獨(dú)立式下游式PECVD系統(tǒng)，占地面積僅為26”x44”（包含自動(dòng)LoadLock單元）,不銹鋼立柜。本設(shè)備有以下主要突出優(yōu)勢(shì)：根據(jù)客戶的具體應(yīng)用和需求，配置NANO-MASTER設(shè)計(jì)的中空陰*密度離子源。帶淋浴頭的平面離子源，具有離子密度高、電子溫度低以及腔體占空比低的特點(diǎn)，從而帶來(lái)高速、超低損傷...

近日，那諾中國(guó)在“上海交通大學(xué)電子信息與電氣工程學(xué)院掩模板兆聲清洗機(jī)采購(gòu)項(xiàng)目”的競(jìng)標(biāo)中，順利中標(biāo)，這無(wú)疑是對(duì)NANO-MASTER綜合實(shí)力的又一次肯定！本套設(shè)備是NANO-MASTER,INC.開(kāi)發(fā)的獨(dú)立立柜式單晶圓/掩模版清洗機(jī)SWC-4000，可用于清洗晶圓片、光盤(pán)、光學(xué)元件、陶瓷基底，或其它類(lèi)似的平底部件?？梢赃_(dá)到去除污染物、殘留物、或微塵顆粒等。系統(tǒng)的主要功能包含DI水的兆聲清洗、多四路的化學(xué)試劑清洗，以及帶異丙醇的高速甩干等。因此該系統(tǒng)對(duì)于單片清洗而言具有優(yōu)異的基底...

熱真空試驗(yàn)箱是在地面上模擬太空環(huán)境的環(huán)境模擬試驗(yàn)設(shè)備。近幾年來(lái)，熱真空試驗(yàn)設(shè)備在航天航空業(yè)產(chǎn)品的研制和定型中發(fā)揮了重要作用。熱真空試驗(yàn)箱由于結(jié)構(gòu)復(fù)雜，在運(yùn)行中有時(shí)會(huì)出現(xiàn)一些異常現(xiàn)象，如果不能及時(shí)排除，將延長(zhǎng)試驗(yàn)周期，影響產(chǎn)品的研制工作。為此，我們對(duì)試驗(yàn)箱的基本工作原理作一些簡(jiǎn)要闡述，并介紹如何對(duì)熱真空試驗(yàn)箱的一般故障進(jìn)行分析判斷和排除。斷開(kāi)制冷控制，制冷閥關(guān)閉，檢查真空計(jì)通訊接口有無(wú)松動(dòng)，分子泵轉(zhuǎn)速有無(wú)發(fā)生變化，經(jīng)檢查都正常，說(shuō)明真空機(jī)組的問(wèn)題可以排除由于低溫降溫階段出現(xiàn)真空...

硅片清洗機(jī)正向著小型化、非盒式化及一次完成化（所有清洗與干燥步驟在一個(gè)槽內(nèi)進(jìn)行）方向發(fā)展，以減少工藝過(guò)程中帶來(lái)的沾污，滿足深亞微米級(jí)器件工藝的要求。這無(wú)論對(duì)清洗工藝還是對(duì)清洗設(shè)備都是一個(gè)極大的挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)的清洗方法已不能滿足要求。臭氧水、兆聲波、電解離子水等的應(yīng)用顯示出很好的去除硅片表面顆粒和金屬沾污的能力，對(duì)硅片表面微觀態(tài)的影響很小。而且，它們的使用使清洗設(shè)備小型化及清洗工藝一次完成化的實(shí)現(xiàn)成為可能。硅片清洗機(jī)不僅保留了超聲波清洗的優(yōu)點(diǎn)，而且克服了超聲波清洗的缺點(diǎn)。兆聲無(wú)損清...

等離子去膠機(jī)是石英腔的微波等離子系統(tǒng)，可以安裝到超凈間墻上。該系列的微波等離子系統(tǒng)可以用于批處理，也可以作為單片處理，系統(tǒng)為計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制的系統(tǒng)。典型工藝包含：大劑量離子注入后的光刻膠去除；干法刻蝕工藝的前處理或后處理；MEMS制造中的犧牲層去除。去膠工藝是微加工實(shí)驗(yàn)中一個(gè)非常重要的過(guò)程。在電子束曝光、紫外曝光等微納米加工工藝之后，都需要對(duì)光刻膠進(jìn)行去除或打底膜處理。光刻膠去除的是否干凈*、對(duì)樣片是否有損傷等問(wèn)題將直接影響到后續(xù)工藝的順利完成。德國(guó)ALPHAPLAMSA擁有...

一般的熱真空試驗(yàn)箱均設(shè)有溫度均勻度參數(shù)：自然對(duì)流式的干燥箱為工作溫度上限乘3%，強(qiáng)制對(duì)流式的干燥箱為工作溫度上限乘2.5%。惟獨(dú)電熱真空干燥箱不設(shè)溫度均勻度參數(shù)，這是為什么？真空干燥箱內(nèi)依靠氣體分子運(yùn)動(dòng)使工作室溫度達(dá)到均勻的可能性幾乎已經(jīng)沒(méi)有了。因此，從概念上我們就不能再把通常電熱（鼓風(fēng)）干燥箱所規(guī)定的溫度均勻度定義用到真空干燥箱上來(lái)。在真空狀態(tài)下設(shè)這個(gè)指標(biāo)也是沒(méi)有意義的。熱輻射的量與距離的平方成反比。同一個(gè)物體，距離加熱壁20cm處所接受的輻射熱只是距離加熱壁10cm處的1...

等離子刻蝕機(jī)是基于真空中的高頻激勵(lì)而產(chǎn)生的輝光放電將四氟化碳中的氟離子電離出來(lái)從而獲得化學(xué)活性微粒與被刻蝕材料起化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)生輝發(fā)性物質(zhì)進(jìn)行刻蝕的。同時(shí)為了保證氟離子的濃度和刻蝕速度必須加入一定比例的氧氣生成二氧化碳。在眾多半導(dǎo)體工藝中，刻蝕是決定特征尺寸的核心工藝技術(shù)之一?？涛g分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕采用化學(xué)腐蝕進(jìn)行，是傳統(tǒng)的刻蝕工藝。它具有各向同性的缺點(diǎn)，即在刻蝕過(guò)程中不但有所需要的縱向刻蝕，也有不需要的橫向刻蝕，因而精度差，線寬一般在3um以上。RIE-PE刻蝕機(jī)...