飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（ToF?SIMS）是目前表面分析領(lǐng)域中信息最-豐富的技術(shù)之一。它利用脈沖離子束轟擊樣品表面，濺射出二次離子，并通過飛行時(shí)間質(zhì)量分析器精確測(cè)定離子質(zhì)量。該技術(shù)能夠同時(shí)獲取樣品最外層（亞納米深度）的元素、同位素及分子結(jié)構(gòu)信息，并可實(shí)現(xiàn)從微米級(jí)到毫米級(jí)區(qū)域的成像分析，以及深度方向的成分分布（深度剖析）。與常規(guī)元素分析手段不同，ToF?SIMS 對(duì)有機(jī)物、無機(jī)物均有極-佳的檢測(cè)能力，尤其適合未知物識(shí)別、表面改性研究、失效分析及納米薄膜表征等場(chǎng)景。

MiniSIMS-ToF飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀是一款榮獲 R&D 100 獎(jiǎng)等多項(xiàng)國際殊榮的臺(tái)式二次離子質(zhì)譜儀，由賽恩斯（SAI）公司創(chuàng)新研發(fā)。它將在傳統(tǒng)上需要大型超高真空系統(tǒng)的 SIMS 能力集成于一臺(tái)桌面設(shè)備中，對(duì)實(shí)驗(yàn)室空間和配套設(shè)施要求極低，單個(gè)樣品的檢測(cè)成本相比傳統(tǒng)設(shè)備最高可降低 90%。

相比傳統(tǒng)的四極桿 SIMS，ToF 分析儀在速度、信息量和未知物發(fā)現(xiàn)能力上具有天然優(yōu)勢(shì)。而 MiniSIMS?ToF 進(jìn)一步將這種*能力以臺(tái)式化、低運(yùn)行成本的形式呈現(xiàn)，讓更多實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)用戶能夠負(fù)擔(dān)并受益于真正的 SIMS 分析。

MiniSIMS-ToF飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜儀核心優(yōu)勢(shì)：

1、一機(jī)多能
支持靜態(tài) SIMS（表面單分子層分析）、成像 SIMS（空間分布可視化）及動(dòng)態(tài) SIMS（深度剖析）三種工作模式，覆蓋從科研到工業(yè)失效分析的廣泛需求。

2、飛行時(shí)間質(zhì)量分析器
采用 ToF 技術(shù)，實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)并行檢測(cè)，所有質(zhì)量數(shù)同時(shí)采集。每張譜圖、每個(gè)像素或每個(gè)深度層都包含完整的質(zhì)譜信息，分析完成后仍可回溯數(shù)據(jù)，不會(huì)遺漏任何未知成分。

3、臺(tái)式緊湊設(shè)計(jì)
整機(jī)占地面積小于 0.5 平方米，重量?jī)H約 60 公斤，可輕松安裝于普通實(shí)驗(yàn)臺(tái)，無需特殊水冷或大功率供電。

4、快速啟動(dòng)與高通量
從大氣到工作真空僅需數(shù)分鐘，配合高效的數(shù)據(jù)采集能力，顯著提升日常分析效率，尤其適合多批次樣品篩查。

5、未知物識(shí)別能力
對(duì)于失效分析及前沿研究，未知成分的發(fā)現(xiàn)往往是突破口。MiniSIMS?ToF 憑借全譜采集特性，是發(fā)現(xiàn)和鑒定未知污染、殘留物、添加劑或降解產(chǎn)物的有力工具。

典型應(yīng)用領(lǐng)域

電子元器件：焊盤污染分析、表面殘留物鑒定

表面涂層：涂層均勻性、層間界面分析 

傳感器：敏感材料表面化學(xué)狀態(tài)表征    

摩擦學(xué)：潤滑劑遷移、磨損表面分析    

催化劑：活性組分分布、失活原因探究    

膠粘劑與薄膜：粘接界面化學(xué)、超薄膜成分    

生物材料：醫(yī)療器械表面改性評(píng)估    

腐蝕與防護(hù)：腐蝕產(chǎn)物識(shí)別、鈍化膜分析    

教育：表面分析教學(xué)與演示    

存儲(chǔ)設(shè)備：磁頭/盤片表面污染控制