進(jìn)口ALD設(shè)備原子層沉積是一項(xiàng)沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會(huì)帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有序、自限制的表面反應(yīng)將會(huì)帶來非統(tǒng)計(jì)的沉積。這使得ALD原子層沉積膜保持高度的光滑、連續(xù)以及無(wú)孔的特性，可以提供優(yōu)異的薄膜性能。ALD原子層工藝也可以實(shí)現(xiàn)到大基片上。
進(jìn)口ALD設(shè)備特點(diǎn)：
占地面積小
計(jì)算機(jī)控制，Labview軟件全自動(dòng)工藝控制
360A厚的AL2O3膜，誤差為±1A
三維鍍膜，接近100%的階梯覆蓋率
設(shè)備集成安全氣柜
10mTorr的極限真空
可支持6“，8”基片（升級(jí)支持12“，或定制更大尺寸）
樣品臺(tái)可加熱至400℃（可選加熱到500℃）
手動(dòng)/自動(dòng)上下載片可選
支持多達(dá)7路的50ml的液態(tài)或固態(tài)前驅(qū)體瓶源
進(jìn)口ALD設(shè)備選配：
下游式遠(yuǎn)程平面ICP源或中空陰極離子源，支持PEALD
自動(dòng)上下片，單片或25片cassette
增加額外的液態(tài)qia前驅(qū)體或額外的fan'ying反應(yīng)氣路
300l/sec的磁懸浮渦流分子泵，5*10-7Torr極限真空
大尺寸的基片或fe粉末的沉積
QCM原位膜厚監(jiān)控系統(tǒng)
產(chǎn)品分類
更新時(shí)間：2021-01-13 
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